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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
43
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
27
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
14.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3008
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
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