RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
43
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
34
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
14.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3429
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link