RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
43
Por volta de -115% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
20
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3287
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link