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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
43
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2920
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
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