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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
43
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.4
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
23
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
17.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
4214
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
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