RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
43
Por volta de -2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
42
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
14.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3072
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Inmos + 256MB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link