RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
43
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
23
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
12.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2709
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link