RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
43
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
35
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
13.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3423
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link