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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
43
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
14.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2834
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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