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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
6.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
43
Por volta de -79% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
24
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
6.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2052
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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