RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
43
Por volta de -105% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
21
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
14.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3077
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link