RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
43
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
34
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
11.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2588
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link