RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
43
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
26
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
10.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2480
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link