RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
43
Por volta de -105% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
14.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
21
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
7.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2337
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link