RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
47
Por volta de 9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
47
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
11.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2875
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Relatar um erro
×
Bug description
Source link