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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
43
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.9
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
15.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3866
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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