RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
69
Por volta de -214% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
14.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
3330
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link