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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
69
Por volta de -138% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
3285
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
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Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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