Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Pontuação geral
star star star star star
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 12.3
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    55 left arrow 69
    Por volta de -25% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.4 left arrow 1,857.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    69 left arrow 55
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,217.2 left arrow 12.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,857.7 left arrow 14.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    668 left arrow 2894
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações