RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
69
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
8.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
1718
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link