Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Pontuação geral
star star star star star
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 14.8
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 69
    Por volta de -156% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.2 left arrow 1,857.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 6400
    Por volta de 3 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    69 left arrow 27
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,217.2 left arrow 14.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,857.7 left arrow 11.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    668 left arrow 2426
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações