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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
69
Por volta de -130% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
3283
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
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