RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
69
Por volta de -156% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
3299
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link