RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
69
Por volta de -176% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
14.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
3402
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link