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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
69
Por volta de -229% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
21
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
14.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
3087
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
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Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
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