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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
69
Por volta de -156% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
15.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
3711
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
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InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
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