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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
69
99
Por volta de 30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
99
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
6.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
1499
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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