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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
69
Por volta de -165% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
10.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2596
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
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Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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