RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
69
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2978
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link