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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
69
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
10.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2504
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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