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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
69
Por volta de -97% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.0
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
6.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
1851
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
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