RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
69
86
Por volta de 20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
86
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
8.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
1658
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link