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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
58
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.9
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
15.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3635
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
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