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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
58
Por volta de -123% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.3
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
17.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3983
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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