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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
58
Por volta de -164% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2942
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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INTENSO 5641152 4GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
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