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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
58
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2702
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
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