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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
58
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
13.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3061
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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