RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
58
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
13.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3302
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link