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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
58
Por volta de -152% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
18.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
4173
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
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