RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
58
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
15.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3713
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link