RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
58
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
16.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3933
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link