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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
58
Por volta de -222% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.7
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
18
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
16.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3609
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
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