RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
21
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
58
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.4
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
21.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
19.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
4129
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link