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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
58
Por volta de -190% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
20
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
15.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3162
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
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G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
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