RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
58
Por volta de -123% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
14.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3017
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link