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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905625-066.A00G 16GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Pontuação geral
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Kingston 9905625-066.A00G 16GB

Kingston 9905625-066.A00G 16GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 15.2
    Valor médio nos testes
Kingston 9905625-066.A00G 16GB Razões a considerar
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    32 left arrow 58
    Por volta de -81% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.2 left arrow 1,950.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    58 left arrow 32
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,241.0 left arrow 15.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,950.7 left arrow 10.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    651 left arrow 2882

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM

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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston 9905625-066.A00G 16GB Comparações de RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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