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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
58
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
42
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
12.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2352
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
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