Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Pontuação geral
star star star star star
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 17
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    22 left arrow 58
    Por volta de -164% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.9 left arrow 1,950.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    58 left arrow 22
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,241.0 left arrow 17.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,950.7 left arrow 11.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    651 left arrow 3112
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações