RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
58
Por volta de -115% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
11.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2809
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link