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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
58
Por volta de -123% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
12.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
8.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2257
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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